型号等于：	3EZ43D (2) 3EZ43D1 (1) 3EZ43D2 (1) 3EZ43D3 (1) 3EZ43D4 (1) 3EZ43D5 (10)
型号起始：	3EZ43D* (72) 3EZ43D/* (2) 3EZ43D1* (16) 3EZ43D2* (9) 3EZ43D3* (5) 3EZ43D4* (5) 3EZ43D5* (29) 3EZ43DE* (2) 3EZ43DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(45) MCC(8) MOTOROLA(6) EIC(2) ETC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(42) 二极管(37) 光电二极管(12) 稳压二极管(10) 齐纳二极管(5)

3EZ43D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ43D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ43DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 32.7 V;额定稳压值(Vz):43 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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