型号等于：	3EZ47D (2) 3EZ47D1 (1) 3EZ47D2 (1) 3EZ47D3 (1) 3EZ47D4 (1) 3EZ47D5 (10)
型号起始：	3EZ47D* (71) 3EZ47D/* (2) 3EZ47D1* (12) 3EZ47D2* (9) 3EZ47D3* (5) 3EZ47D4* (5) 3EZ47D5* (31) 3EZ47DE* (3) 3EZ47DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(41) MCC(8) MOTOROLA(5) WTE(5) EIC(2) ETC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(40) 二极管(35) 光电二极管(13) 齐纳二极管(7) 稳压二极管(8)

3EZ47D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ47D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ47DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 35.6 V;额定稳压值(Vz):47 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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