型号等于：	3EZ51 (5) 3EZ56 (5)
型号起始：	3EZ5* (192) 3EZ5.* (81) 3EZ51* (56) 3EZ56* (55)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(97) MCC(19) ETC(14) MOTOROLA(11) EIC(8) SUNMATE(8) WTE(6) GOOD-ARK(4) LGE(4) NJSEMI(4) SYNSEMI(4) WON-TOP(4) PANJIT(3) DIOTEC(2) SEMIKRON(2) TRSYS(2)
功能分类：	不限测试(118) 二极管(112) 稳压二极管(34) 齐纳二极管(27) IOT(5) 光电二极管(1)

3EZ5 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：45

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ5.1D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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