型号起始：	3EZ5.* (107) 3EZ5.1* (56) 3EZ5.6* (51)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(69) ETC(8) MCC(6) EIC(4) SUNMATE(4) WTE(3) GOOD-ARK(2) LGE(2) MOTOROLA(2) NJSEMI(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) PANJIT(1)
功能分类：	不限测试(45) 二极管(47) 光电二极管(22) 稳压二极管(13) 齐纳二极管(11)

3EZ5. - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：22

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ5.1D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.1DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):5.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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