型号等于：	3EZ5.6S (1)
型号起始：	3EZ5.6* (51) 3EZ5.6D* (50) 3EZ5.6S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(33) ETC(4) EIC(2) MCC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) MOTOROLA(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(17) 二极管(21) 光电二极管(10) 稳压二极管(6) 齐纳二极管(5)

3EZ5.6 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：10

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ5.6D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ5.6DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 2 V;额定稳压值(Vz):5.6 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:101

总10条记录，每页显示30条记录分1页显示。