型号等于：	3EZ51 (10) 3EZ51D (1)
型号起始：	3EZ51* (75) 3EZ51D* (65)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(42) MCC(7) ETC(4) MOTOROLA(3) EIC(2) SUNMATE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(39) 二极管(34) 光电二极管(13) 稳压二极管(11) 齐纳二极管(10) IOT(5)

3EZ51 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ51D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ51DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 38.8 V;额定稳压值(Vz):51 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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