型号等于：	3EZ56 (10) 3EZ56D (1)
型号起始：	3EZ56* (73) 3EZ56-* (1) 3EZ56D* (62)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(39) MCC(6) MOTOROLA(6) EIC(2) ETC(2) SUNMATE(2) WTE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(34) 二极管(31) 光电二极管(10) 稳压二极管(10) 齐纳二极管(6)

3EZ56 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：10

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ56 中文翻译品牌: MCC	Zener Diode, 56V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2	测试光电二极管
		3EZ56D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ56DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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