型号等于：	3EZ60 (1) 3EZ62 (6) 3EZ68 (5)
型号起始：	3EZ6* (190) 3EZ6.* (82) 3EZ60* (1) 3EZ62* (51) 3EZ68* (56)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(85) MCC(28) MOTOROLA(9) EIC(8) SUNMATE(8) PANJIT(7) WTE(7) GOOD-ARK(5) NJSEMI(5) DIOTEC(4) LGE(4) ONSEMI(4) SECOS(4) SYNSEMI(4) WON-TOP(4) SEMIKRON(2) TRSYS(2)
功能分类：	不限测试(105) 二极管(94) 稳压二极管(44) 齐纳二极管(15) 稳压器(3) IOT(6)

3EZ6 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：49

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ6.2D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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