型号等于：	3EZ6.2 (1) 3EZ6.8 (2)
型号起始：	3EZ6.* (110) 3EZ6.2* (58) 3EZ6.8* (52)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(61) MCC(11) EIC(4) ONSEMI(4) PANJIT(4) SECOS(4) SUNMATE(4) WTE(4) GOOD-ARK(3) DIOTEC(2) LGE(2) NJSEMI(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) MOTOROLA(1)
功能分类：	不限测试(53) 二极管(47) 光电二极管(25) 稳压二极管(19) 齐纳二极管(6) 稳压器(3)

3EZ6. - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：28

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ6.2D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 6.2; IR (uA) : 5; VR (V) : 3;	光电二极管
		3EZ6.2D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 6.8; IR (uA) : 50; VR (V) : 4;	光电二极管
		3EZ6.8D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D6 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-15; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 6.8; IR (uA) : 50; VR (V) : 4;	光电二极管
		3EZ6.8DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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