型号等于：	3EZ6.2 (2) 3EZ6.2S (1)
型号起始：	3EZ6.2* (59) 3EZ6.2D* (56) 3EZ6.2S* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(31) MCC(7) ONSEMI(4) EIC(2) GOOD-ARK(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) DIOTEC(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(34) 二极管(28) 光电二极管(13) 稳压二极管(9) 稳压器(3) 齐纳二极管(5)

3EZ6.2 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ6.2D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.2DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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