| 型号等于： | 3EZ6.2D10 (2) |
| 型号起始： | 3EZ6.2D10* (8) 3EZ6.2D10/* (2) 3EZ6.2D10E* (3) 3EZ6.2D10T* (1) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(6) EIC(1) |
| 功能分类： | 不限 光电二极管(4) 测试(3) 二极管(2) 稳压二极管(1) 齐纳二极管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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3EZ6.2D10
中文翻译 品牌: EIC |
SILICON ZENER DIODES 硅稳压二极管 |
稳压二极管 齐纳二极管 测试 | |||
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3EZ6.2D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ6.2D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ6.2D10E3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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3EZ6.2D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ6.2D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.2 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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3EZ6.2D10TRE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 10%, 3W, | 测试 二极管 |
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