型号等于：	3EZ6.8 (4) 3EZ6.8S (1)
型号起始：	3EZ6.8* (54) 3EZ6.8D* (48) 3EZ6.8S* (1) 3EZ6.8_* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(30) MCC(4) PANJIT(3) EIC(2) SECOS(2) SUNMATE(2) WTE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) MOTOROLA(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(19) 二极管(19) 光电二极管(12) 稳压二极管(10) 齐纳二极管(1)

3EZ6.8 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ6.8D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ6.8DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 4 V;额定稳压值(Vz):6.8 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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