型号等于：	3EZ62 (12) 3EZ62D (1)
型号起始：	3EZ62* (70) 3EZ62D* (58)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(37) MCC(7) MOTOROLA(4) EIC(2) NJSEMI(2) SUNMATE(2) WTE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(30) 二极管(24) 光电二极管(11) 稳压二极管(11) 齐纳二极管(5) IOT(6)

3EZ62 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ62D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ62D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 47.1 V;额定稳压值(Vz):62 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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