型号等于：	3EZ68 (10) 3EZ68D (1)
型号起始：	3EZ68* (74) 3EZ68-* (1) 3EZ68D* (63)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(41) MCC(10) MOTOROLA(4) EIC(2) SUNMATE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(22) 二极管(23) 光电二极管(13) 稳压二极管(13) 齐纳二极管(4)

3EZ68 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ68D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:131

总13条记录，每页显示30条记录分1页显示。