型号等于：	3EZ68D (2) 3EZ68D1 (1) 3EZ68D4 (1) 3EZ68D5 (10)
型号起始：	3EZ68D* (64) 3EZ68D/* (2) 3EZ68D1* (11) 3EZ68D2* (7) 3EZ68D3* (4) 3EZ68D4* (3) 3EZ68D5* (29) 3EZ68DE* (4) 3EZ68DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(41) MCC(8) MOTOROLA(4) EIC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1) WTE(1)
功能分类：	不限测试(17) 二极管(20) 光电二极管(13) 稳压二极管(11) 齐纳二极管(2)

3EZ68D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ68D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ68DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 51.7 V;额定稳压值(Vz):68 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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