型号等于：	3EZ75 (5)
型号起始：	3EZ7* (109) 3EZ7.* (47) 3EZ75* (62)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(58) MCC(15) WTE(5) EIC(4) MOTOROLA(4) SUNMATE(4) ETC(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) PANJIT(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) SEMIKRON(1) TRSYS(1)
功能分类：	不限测试(69) 二极管(68) 稳压二极管(21) 齐纳二极管(11) IOT(7)

3EZ7 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：26

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ7.5D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ7.5DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 5 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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