型号等于：	3EZ75D (2) 3EZ75D1 (1) 3EZ75D2 (1) 3EZ75D3 (1) 3EZ75D4 (1) 3EZ75D5 (10)
型号起始：	3EZ75D* (69) 3EZ75D/* (2) 3EZ75D1* (15) 3EZ75D2* (8) 3EZ75D3* (5) 3EZ75D4* (5) 3EZ75D5* (28) 3EZ75DE* (3) 3EZ75DT* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(43) MCC(7) ETC(3) MOTOROLA(3) WTE(3) EIC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(35) 二极管(35) 光电二极管(12) 稳压二极管(9) 齐纳二极管(7)

3EZ75D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ75D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ75DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 56 V;额定稳压值(Vz):75 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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