型号等于：	3EZ82 (5) 3EZ87 (1)
型号起始：	3EZ8* (84) 3EZ8.* (39) 3EZ82* (44) 3EZ87* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(33) MCC(9) MOTOROLA(8) PANJIT(5) EIC(4) ONSEMI(4) SUNMATE(4) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) WTE(2) ETC(1) SEMIKRON(1) TRSYS(1)
功能分类：	不限测试(55) 二极管(40) 稳压二极管(20) 齐纳二极管(11) IOT(7) 稳压器(3)

3EZ8 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：28

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ8.2D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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