型号等于：	3EZ8.2 (2) 3EZ8.7 (1)
型号起始：	3EZ8.* (54) 3EZ8.2* (53) 3EZ8.7* (1)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(27) MCC(7) ONSEMI(4) MOTOROLA(3) PANJIT(3) EIC(2) SUNMATE(2) DIOTEC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限光电二极管(14) 测试(25) 二极管(16) 稳压二极管(12) 稳压器(3) 齐纳二极管(5) IOT(2)

3EZ8. - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：14

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ8.2D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ8.2DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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