型号等于:3EZ8.2D5 (10)
型号起始:3EZ8.2D* (50) 3EZ8.2D/* (2) 3EZ8.2D1* (7) 3EZ8.2D2* (8) 3EZ8.2D3* (1) 3EZ8.2D5* (29) 3EZ8.2DE* (2) 3EZ8.2DT* (1)
所属品牌:不限 MICROSEMI(27) MCC(7) ONSEMI(4) MOTOROLA(3) EIC(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类:不限 光电二极管(14) 测试(23) 二极管(15) 稳压二极管(10) 稳压器(3) 齐纳二极管(5)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
3EZ8.2D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D2/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D5
中文翻译 品牌: GWSEMI
Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 8.2; IR (uA) : 50; VR (V) : 6; 光电二极管
3EZ8.2D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ8.2DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):5 µA @ 6 V;额定稳压值(Vz):8.2 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
Total:151
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