型号等于：	3EZ82 (10)
型号起始：	3EZ82* (64) 3EZ82-* (1) 3EZ82D* (53)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(36) MOTOROLA(5) EIC(2) MCC(2) SUNMATE(2) WTE(2) DIOTEC(1) ETC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) PANJIT(1) SEMIKRON(1) SYNSEMI(1) TRSYS(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(30) 二极管(24) 光电二极管(14) 稳压二极管(7) 齐纳二极管(6) IOT(5)

3EZ82 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：14

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ82D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D10E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D5/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ82DE3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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