型号等于:3EZ82D1 (1) 3EZ82D2 (1) 3EZ82D3 (1) 3EZ82D5 (9)
型号起始:3EZ82D* (53) 3EZ82D/* (2) 3EZ82D1* (12) 3EZ82D2* (9) 3EZ82D3* (4) 3EZ82D4* (2) 3EZ82D5* (21) 3EZ82DE* (2) 3EZ82DT* (1)
所属品牌:不限 MICROSEMI(36) MOTOROLA(5) EIC(2) SUNMATE(2) WTE(2) ETC(1) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类:不限 测试(25) 二极管(21) 光电二极管(14) 稳压二极管(5) 齐纳二极管(4)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
3EZ82D/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D10/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D10/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D10E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D10E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±10%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D2/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D2E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D2E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D5/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D5E3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82D5E3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82DE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
3EZ82DE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI
稳压精度:±20%;最大耗散功率(PD):3 W;反向电流(Ir):500 nA @ 62.2 V;额定稳压值(Vz):82 V;元器件封装:DO-41; 光电二极管
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