型号等于：	3EZ91 (5)
型号起始：	3EZ9* (95) 3EZ9.* (42) 3EZ91* (53)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(47) MCC(8) MOTOROLA(8) ETC(5) EIC(4) SUNMATE(4) PANJIT(3) DIOTEC(2) GOOD-ARK(2) LGE(2) NJSEMI(2) SYNSEMI(2) WON-TOP(2) WTE(2) SEMIKRON(1) TRSYS(1)
功能分类：	不限测试(64) 二极管(57) 稳压二极管(19) 齐纳二极管(14) IOT(7)

3EZ9 - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：18

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ9.1D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D10/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ91DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:500 nA @ 69.2 V;额定稳压值(Vz):91 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

Total:181

总18条记录，每页显示30条记录分1页显示。