型号等于：	3EZ9.1D1 (1) 3EZ9.1D2 (1) 3EZ9.1D3 (1) 3EZ9.1D4 (1) 3EZ9.1D5 (8)
型号起始：	3EZ9.1D* (39) 3EZ9.1D1* (7) 3EZ9.1D2* (3) 3EZ9.1D3* (3) 3EZ9.1D4* (3) 3EZ9.1D5* (21) 3EZ9.1DT* (2)
所属品牌：	不限 MICROSEMI(17) MCC(7) ETC(4) EIC(2) MOTOROLA(2) SUNMATE(2) GOOD-ARK(1) LGE(1) NJSEMI(1) SYNSEMI(1) WON-TOP(1)
功能分类：	不限测试(26) 二极管(22) 稳压二极管(11) 齐纳二极管(6)

3EZ9.1D - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：11

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3EZ9.1D/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D10/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D2E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D5 中文翻译品牌: GWSEMI	Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 9.1; IR (uA) : 50; VR (V) : 7;	光电二极管
		3EZ9.1D5/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D5E3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1D5E3/TR8 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管
		3EZ9.1DE3/TR12 中文翻译品牌: MICROSEMI	稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:3 µA @ 7 V;额定稳压值(Vz):9.1 V;元器件封装:DO-41;	光电二极管

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