| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BSP318SE6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:PG-SOT223-4; | |||
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BSP320SE6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | 光电二极管 晶体管 | ||
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BUZ102SE3045
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor SIPMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BUZ102SE3045A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor SIPMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BUZ110SE3045
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS㈢ Power Transistor SIPMOS®功率晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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BUZ110SE3045A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS㈢ Power Transistor SIPMOS®功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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BUZ111SE3045
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor SIPMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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BUZ111SE3045A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor SIPMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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DMN6068SE-13
中文翻译 品牌: DIODES |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 60V N沟道增强型MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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DMP10H400SE-13
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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DMP6250SE-13
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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H02N60SE
中文翻译 品牌: HSMC |
N-Channel Power Field Effect Transistor N沟道功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRH7450SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 500V ， RDS（ON） = 0.51ohm ，ID = 11A） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRH7C50SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 局域网 晶体管 | |||
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IRHE57133SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-2) 抗辐射功率MOSFET表面贴装（ SMD - 2 ） |
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IRHF57133SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) 抗辐射功率MOSFET直通孔（ TO- 39 ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRHF57230SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE ( TO-39) 抗辐射功率MOSFET直通孔（ TO- 39 ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRHF57234SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) 抗辐射功率MOSFET直通孔（ TO- 39 ） |
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IRHF7310SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=4.5ohm, Id=1.15A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 400V ， RDS（ON） = 4.5ohm ，ID = 1.15A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRHF7330SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-205AF) 抗辐射功率MOSFET直通孔（ TO- 205AF ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRHF7430SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) 抗辐射功率MOSFET直通孔（ TO- 39 ） |
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IRHI7360SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=24.3A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = 24.3A ） |
晶体 晶体管 | |||
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IRHI7460SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.32ohm, Id=20A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 500V ， RDS（ON） = 0.32ohm ，ID = 20A ） |
晶体 晶体管 | |||
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IRHM2C50SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 600V ， RDS（ON） = 0.60ohm ，ID = 10.4A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | |||
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IRHM57264SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE 抗辐射功率MOSFET直通孔 |
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IRHM7250SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET 抗辐射功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRHM7264SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.087ohm, Id=35A*) 晶体管N沟道（ BVDSS = 250V ， RDS（ON） = 0.087ohm ，ID = 35A * ） |
晶体 晶体管 | ||
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IRHM7360SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=22A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = 22A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRHM7450SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 500V ， RDS（ON） = 0.51ohm ，ID = 12A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRHM7460SE
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.32ohm, Id=18.8A) 晶体管N沟道（ BVDSS = 500V ， RDS（ON） = 0.32ohm ，ID = 18.8A ） |
晶体 晶体管 |