品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APLR1000J10K0SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J1K00SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J20R0SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J2K00SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J3K30SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J3K90SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J4K70SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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APLR1000J50R0SE
中文翻译 品牌: RESI |
APLR系列无感高能抗脉冲电阻采用特殊自研的电阻材料,适用于高能量高脉冲的环境,兼备无感、小体积、高耐湿、高可靠性等特点,同时电阻体内部具备均匀有效的能量吸收能力,在极端工作条件下,其散热能力及长 | 脉冲 | |||
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BUZ100SE3045A
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement MOSFET
N沟道增强型MOSFET\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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BUZ101SE3045
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V( BR ) DSS | 22A I( D) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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BUZ101SE3045A
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement MOSFET
N沟道增强型MOSFET\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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BUZ103SE3045
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V( BR ) DSS | 31A I( D) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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BUZ103SE3045A
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement MOSFET
N沟道增强型MOSFET\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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BUZ104SE3045
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 13.5A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V( BR ) DSS | 13.5AI (D ) | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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BUZ110SE3045A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS㈢ Power Transistor SIPMOS®功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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BUZ111SE3045
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor SIPMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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BUZ111SE3045A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SIPMOS Power Transistor SIPMOS功率晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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DMN6068SE-13
中文翻译 品牌: DIODES |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 60V N沟道增强型MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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DMP10H400SE-13
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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DMP6250SE-13
EDA模型
中文翻译 品牌: DIODES |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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EPE6045SE
中文翻译 品牌: PCA |
10Base-T Isolation Transformer 10Base-T的隔离变压器 |
变压器 | |||
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EPE6045SE-LF
中文翻译 品牌: PCA |
10Base-T Isolation Transformer 10Base-T的隔离变压器 |
变压器 脉冲通信变压器 数据通信变压器 PC 局域网(LAN)标准 | |||
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EPE6045SE-RC
中文翻译 品牌: PCA |
Datacom Transformer, 10 BASE-T Application(s), 1CT:1.414CT; 1CT:1CT | 变压器 脉冲通信变压器 数据通信变压器 局域网(LAN)标准 | |||
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EPE6313SE
中文翻译 品牌: PCA |
10Base-T Interface Module with Enhanced Common Mode Attenuation 10BASE -T接口模块增强型共模衰减 |
变压器 脉冲通信变压器 数据通信变压器 PC 局域网(LAN)标准 | |||
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EPE6379SE-RC
中文翻译 品牌: PCA |
10Base-T Interface PCMCIA Module 10BASE -T接口PCMCIA模块 |
PC | |||
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EPF8119SE
中文翻译 品牌: PCA |
10/100Base-TX Interface Module 10 / 100BASE -TX接口模块 |
变压器 脉冲通信变压器 数据通信变压器 PC 局域网(LAN)标准 | |||
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EPF8119SE-RC
中文翻译 品牌: PCA |
Datacom Transformer, 10/100 BASE-TX Application(s), 1CT:1CT; 1CT:1CT, ROHS COMPLIANT | 变压器 局域网(LAN)标准 脉冲 | |||
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EPF8143SE
中文翻译 品牌: PCA |
10/100Base-TX Interface Module with Enhanced Common Mode Attenuation 10 / 100BASE -TX接口模块,加强了共模衰减 |
局域网(LAN)标准 | |||
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EPF8183SE
中文翻译 品牌: PCA |
10/100Base-TX Quad Module 10 / 100BASE -TX模块四 |
局域网(LAN)标准 | |||
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EPF8183SE-RC
中文翻译 品牌: PCA |
10/100Base-TX Quad Module 10 / 100BASE -TX模块四 |
变压器 脉冲通信变压器 数据通信变压器 局域网(LAN)标准 |