品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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6116SA20YI
中文翻译 品牌: IDT |
Application Specific SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA20YI8
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA25F
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDFP24 | 静态存储器 | |||
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6116SA25L32
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC32 | 静态存储器 | |||
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6116SA25PI
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA25SO
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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6116SA25SOB
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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6116SA25SOGI8
中文翻译 品牌: IDT |
High-speed access and chip select times | PC 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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6116SA25SOGI8
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns):25ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-SOIC; | 存储 | |||
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6116SA25SOI
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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6116SA25SOI8
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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6116SA25TPB
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
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6116SA25TPG
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-PDIP; | 光电二极管 存储 | |||
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6116SA25TPGI
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-PDIP; | 光电二极管 存储 | |||
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6116SA25TPGI8
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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6116SA25TPI
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA25YB
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA25YGI
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA25YGI8
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA25YI
中文翻译 品牌: IDT |
Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35L32
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC32 | 静态存储器 | |||
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6116SA35P
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35PB
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35PG
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35SOB
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35SOG
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 | ||
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6116SA35SOG8
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35SOG8
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC; | 存储 | |||
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6116SA35SOGI8
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24 | 静态存储器 光电二极管 | |||
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6116SA35SOI
中文翻译 品牌: IDT |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 |