型号等于：	6116 (2)
型号起始：	6116* (328) 6116-* (8) 6116L* (124) 6116S* (168) 61160* (1) 61161* (3) 61162* (5) 61164* (1) 61165* (1) 61166* (2) 61167* (12) 61168* (1)
所属品牌：	不限 IDT(296) AMPHENOL(13) MACOM(10) MOLEX(4) ADAM-TECH(2) ETC(1) RENESAS(1)
功能分类：	不限静态存储器(288) 光电二极管(142) 内存集成电路(119) CD(76) 连接器(21) PC(7) 插座(4) 端子和端子排(2)

6116 - 型号起始; 总记录数：355

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		6116LA20PGI 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24	静态存储器光电二极管
		6116LA20SO 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24	静态存储器光电二极管
		6116LA20SO8 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24	静态存储器光电二极管
		6116LA20SOG8 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA20SOGI 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA20SOGI8 中文翻译品牌: IDT	High-speed access and chip select times	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA20SOGI8 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA20TP 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	静态存储器光电二极管
		6116LA20TPB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	静态存储器光电二极管
		6116LA20TPG 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns）:20ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-PDIP;	光电二极管存储
		6116LA20TPGI 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-PDIP;	光电二极管存储
		6116LA20TPGI8 中文翻译品牌: IDT	High-speed access and chip select times
		6116LA20Y8 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24	静态存储器光电二极管
		6116LA20YGI 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24	静态存储器光电二极管
		6116LA20YGI8 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24	静态存储器光电二极管
		6116LA20YI 中文翻译品牌: IDT	Application Specific SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24	静态存储器光电二极管
		6116LA25SO8 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25SOB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25SOG 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25SOG8 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25SOGI 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25SOGI8 中文翻译品牌: IDT	High-speed access and chip select times	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25SOGI8 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25TD 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	静态存储器
		6116LA25TPB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25TPG 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns）:25ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-PDIP;	光电二极管存储
		6116LA25TPGI8 中文翻译品牌: IDT	High-speed access and chip select times
		6116LA25TPI 中文翻译品牌: IDT	Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24	静态存储器光电二极管
		6116LA25Y 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	静态存储器光电二极管
		6116LA25YB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	静态存储器光电二极管

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