型号等于:6116LA20D (1) 6116LA20P (1)
型号起始:6116LA20* (14) 6116LA20D* (1) 6116LA20P* (3) 6116LA20S* (3) 6116LA20T* (3) 6116LA20Y* (4)
所属品牌:不限 IDT(14)
功能分类:不限 静态存储器(13) 光电二极管(12) 内存集成电路(2) CD(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
6116LA20D
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 静态存储器
6116LA20P
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20PB
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
6116LA20PGI
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20SO
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20SO8
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20SOG8
中文翻译 品牌: RENESAS
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC; 存储
6116LA20SOGI
中文翻译 品牌: RENESAS
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC; 存储
6116LA20SOGI8
中文翻译 品牌: IDT
High-speed access and chip select times 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
6116LA20SOGI8
中文翻译 品牌: RENESAS
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC; 存储
6116LA20TP
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20TPB
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20TPG
中文翻译 品牌: RENESAS
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns):20ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-PDIP; 光电二极管 存储
6116LA20TPGI
中文翻译 品牌: RENESAS
存储容量(Mb):16Kb(2K x 8);内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-PDIP; 光电二极管 存储
6116LA20Y8
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 静态存储器 光电二极管
6116LA20YGI
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-24 静态存储器 光电二极管
6116LA20YGI8
中文翻译 品牌: IDT
Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 静态存储器 光电二极管
6116LA20YI
中文翻译 品牌: IDT
Application Specific SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PDSO24 静态存储器 光电二极管
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