型号等于：	6116LA25Y (1)
型号起始：	6116LA25* (11) 6116LA25S* (3) 6116LA25T* (4) 6116LA25Y* (4)
所属品牌：	不限 IDT(11)
功能分类：	不限静态存储器(10) 光电二极管(9) 内存集成电路(4) CD(1)

6116LA25 - 型号起始 - 存储; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		6116LA25SO8 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25SOB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25SOG 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25SOG8 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25SOGI 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25SOGI8 中文翻译品牌: IDT	High-speed access and chip select times	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25SOGI8 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;元器件封装:24-SOIC;	存储
		6116LA25TD 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	静态存储器
		6116LA25TPB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	静态存储器光电二极管内存集成电路
		6116LA25TPG 中文翻译品牌: RENESAS	存储容量(Mb):16Kb（2K x 8）;内存数据长度(bit):2K ;字编码数(k):2K ;最大存取时间(ns）:25ns;最小工作电压(V):4.5V;最大工作电压(V):5.5V;元器件封装:24-PDIP;	光电二极管存储
		6116LA25TPI 中文翻译品牌: IDT	Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP24	静态存储器光电二极管
		6116LA25Y 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	静态存储器光电二极管
		6116LA25YB 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	静态存储器光电二极管
		6116LA25YG8 中文翻译品牌: IDT	Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24	静态存储器光电二极管
		6116LA25YI 中文翻译品牌: IDT	Application Specific SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO24	静态存储器光电二极管

Total:151

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