| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1N4764A
中文翻译 品牌: dowosemi |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1W;反向电流（Ir）:100nA 76V;额定稳压值(Vz):100V; | 光电二极管 | |||
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1N4764A
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41; PD (W) : 1; Vz @ IZT (Nom) : 100; IR (uA) : 5; VR (V) : 76; | 光电二极管 | |||
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1N4764AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764ATA
中文翻译 品牌: SMC |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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1N4764CE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764CP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764P/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764PE3/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N4764PE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5378B
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-15; PD (W) : 5; Vz @ IZT (Nom) : 100; IR (uA) : 0.5; VR (V) : 76; | 光电二极管 | |||
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1N5949AE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949AP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949APE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949B
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41; PD (W) : 1.5; Vz @ IZT (Nom) : 100; IR (uA) : 1; VR (V) : 76; | 光电二极管 | |||
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1N5949BH
中文翻译 品牌: GWSEMI |
Package : DO-41; PD (W) : 3; Vz @ IZT (Nom) : 100; IR (uA) : 1; VR (V) : 76; | 光电二极管 | |||
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1N5949BP/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949BP/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949BPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949CP/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949CPE3/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949P/TR12
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1N5949P/TR8
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:1.5 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | ||
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1PMT5949/TR7
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949A/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949A/TR7
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949AE3/TR7
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±10%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949BE3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949BE3/TR7
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949C/TR7
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 | |||
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1PMT5949E3/TR13
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±20%;最大耗散功率（PD）:3 W;反向电流（Ir）:1 µA @ 76 V;额定稳压值(Vz):100 V;元器件封装:DO-216; | 光电二极管 |