| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CGDT76
中文翻译 品牌: SUMIDA |
Gate Driver Transformer 栅极驱动变压器 |
变压器 栅极 栅极驱动 | |||
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CSD13380F3
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD13380F3T
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJM | 3 | -55 to 150 | 栅 栅极 | ||
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CSD23382F4
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD23382F4T
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJC | 3 | -55 to 150 | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD25501F3
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | |||
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CSD25501F3T
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJN | 3 | -55 to 150 | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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FG1000AV76
中文翻译 品牌: POWEREX |
Gate Turn-Off SCR, 3800V V(DRM), 1 Element, G8, 2 PIN | 栅 | |||
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FG2000DV76
中文翻译 品牌: POWEREX |
Gate Turn-Off SCR, 3800V V(DRM), 1 Element, G11, 2 PIN | 栅 | |||
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FG3000BV76
中文翻译 品牌: POWEREX |
Gate Turn-Off SCR, 3800V V(DRM), 1 Element, G12, 2 PIN | 栅 | |||
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FG600AV76
中文翻译 品牌: POWEREX |
Gate Turn-Off SCR, 3800V V(DRM), 1 Element, G6, 2 PIN | 栅 | |||
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FG600BV76
中文翻译 品牌: POWEREX |
Gate Turn-Off SCR, 3800V V(DRM), 1 Element, G4, 2 PIN | 栅 | |||
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GT300AV76
中文翻译 品牌: POWEREX |
Gate Turn-Off SCR, 3800V V(DRM), 1 Element, G2, 2 PIN | 栅 | |||
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IXTA76N075T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTA76N25T
中文翻译 品牌: IXYS |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 初步的技术资料沟槽栅功率MOSFET N沟道增强模式 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | ||
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IXTA76N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 局域网 栅 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXTH76N25T
中文翻译 品牌: IXYS |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 初步的技术资料沟槽栅功率MOSFET N沟道增强模式 |
栅 | ||
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IXTH76N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTI76N25T
中文翻译 品牌: IXYS |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 初步的技术资料沟槽栅功率MOSFET N沟道增强模式 |
栅 | |||
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IXTP76N075T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTP76N25T
中文翻译 品牌: IXYS |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 初步的技术资料沟槽栅功率MOSFET N沟道增强模式 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | ||
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IXTP76N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTQ76N25T
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处 | 栅 | |||
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IXTQ76N25T
中文翻译 品牌: IXYS |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 初步的技术资料沟槽栅功率MOSFET N沟道增强模式 |
栅 | ||
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LC95A76ULR
中文翻译 品牌: BOOKHAM |
976nm Laser Module Stabilized with Narrow-Bandwidth Grating 976nm激光模块稳定与窄带光栅 |
栅 | |||
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LC96A76-20R
中文翻译 品牌: BOOKHAM |
High Power 980nm Pump Laser Module - Grating Stabilized, 600mW 高功率980nm泵浦激光模块 - 光栅稳定， 600mW的 |
栅 泵 | |||
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LC96AA76-20R
中文翻译 品牌: BOOKHAM |
High Power 980nm Pump Laser Module - Grating Stabilized, 600mW 高功率980nm泵浦激光模块 - 光栅稳定， 600mW的 |
栅 泵 | |||
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LC96B76-20R
中文翻译 品牌: BOOKHAM |
High Power 980nm Pump Laser Module - Grating Stabilized, 600mW 高功率980nm泵浦激光模块 - 光栅稳定， 600mW的 |
栅 泵 | |||
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LC96C76-20R
中文翻译 品牌: BOOKHAM |
High Power 980nm Pump Laser Module - Grating Stabilized, 600mW 高功率980nm泵浦激光模块 - 光栅稳定， 600mW的 |
栅 泵 | |||
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LC96D76-20R
中文翻译 品牌: BOOKHAM |
High Power 980nm Pump Laser Module - Grating Stabilized, 600mW 高功率980nm泵浦激光模块 - 光栅稳定， 600mW的 |
栅 泵 |