品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CGDT76
中文翻译 品牌: SUMIDA |
Gate Driver Transformer 栅极驱动变压器 |
变压器 栅极 栅极驱动 | |||
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CSD13380F3
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD13380F3T
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJM | 3 | -55 to 150 | 栅 栅极 | ||
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CSD23382F4
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD23382F4T
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJC | 3 | -55 to 150 | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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CSD25501F3
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 栅 开关 晶体管 栅极 | |||
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CSD25501F3T
EDA模型
中文翻译 品牌: TI |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJN | 3 | -55 to 150 | 栅 开关 晶体管 栅极 | ||
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R6076ENZ1C9
EDA模型
中文翻译 品牌: ROHM |
漏源电压Vdss(V):600V;额定电流Id(A):76A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):42 mOhm @ 44.4A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):260nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):120W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温 | 栅 栅极 | ||
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R6076MNZ1C9
中文翻译 品牌: ROHM |
漏源电压Vdss(V):600V;额定电流Id(A):76A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):55 mOhm @ 38A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):115nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):740W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±30V;最小工作温度( | 栅 栅极 | ||
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SI8817DB-T2-E1
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):20V;最大导通阻抗Ron(mΩ):76 mOhm @ 1A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):19nC @ 8V;最大耗散功率Pd(W):500mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 1 | 栅 栅极 | ||
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SKKH210/14E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, CASE A 76A, SEMIPACK 3, 5 PIN | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH210/16E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, CASE A 76A, SEMIPACK 3, 5 PIN | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH210/20EH4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element, CASE A 76A, SEMIPACK 3, 5 PIN | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH210/22EH4
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, CASE A 76A, SEMIPACK 3, 5 PIN | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH250/14E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 420A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, CASE A 76B, SEMIPACK-5 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH250/18E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 420A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, CASE A76B, SEMIPACK-5 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH300/08E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CASE A 76A, SEMIPACK-7 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH300/12E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, CASE A 76A, SEMIPACK-7 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH300/14E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, CASE A 76A, SEMIPACK-7 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH300/16E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, CASE A 76A, SEMIPACK-7 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SKKH300/18E
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, CASE A 76A, SEMIPACK-7 | 局域网 栅 栅极 | |||
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SN74LS76AJ-00
中文翻译 品牌: TI |
LS SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 | 栅 输出元件 栅极 | |||
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SN74LS76AN-10
中文翻译 品牌: TI |
LS SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | 栅 光电二极管 输出元件 栅极 | |||
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SNJ54H76J-00
中文翻译 品牌: TI |
TTL/H/L SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16 | 栅 输出元件 逻辑集成电路 触发器 栅极 | |||
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SNJ54H76W-10
中文翻译 品牌: TI |
TTL/H/L SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, FP-16 | 栅 输出元件 栅极 | |||
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SNJ54LS76AW-10
中文翻译 品牌: TI |
IC LS SERIES, DUAL NEGATIVE EDGE TRIGGERED J-K FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, FP-16, FF/Latch | 栅 输出元件 逻辑集成电路 触发器 栅极 |
Total:261
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