品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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24AA32AT-I/MCB27
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
32K, 4K X 8 1.8V SERIAL EE, -40C to +85C, 8-DFN, T/R | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | |||
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24LC16B-I/W15K
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
16K, 2K X 8 2.5V ERIAL EE, -40C to +85C, Uncut Wafer, WJAR | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 内存集成电路 | |||
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25AA080BT-I/SNB21
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
8K, 1K X 8, 32B PAGE, 1.8V SER EE IND, -40C to +85C, 8-SOIC 150mil, T/R | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 时钟 光电二极管 内存集成电路 | |||
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5962-9550801MXX
中文翻译 品牌: ACTEL |
Field Programmable Gate Array, 848 CLBs, 6000 Gates, 85MHz, CMOS, CPGA207, CERAMIC, PGA-207 | 时钟 栅 可编程逻辑 | |||
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5962-9550801MYX
中文翻译 品牌: ACTEL |
Field Programmable Gate Array, 848 CLBs, 6000 Gates, 85MHz, CMOS, CQFP196, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-196 | 时钟 栅 可编程逻辑 | |||
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5962-9552101MXC
中文翻译 品牌: ACTEL |
Field Programmable Gate Array, 1377 CLBs, 10000 Gates, 85MHz, CMOS, CPGA257, CERAMIC, PGA-257 | 时钟 栅 可编程逻辑 | |||
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5962-9552101MYC
中文翻译 品牌: ACTEL |
Field Programmable Gate Array, 1377 CLBs, 10000 Gates, 85MHz, CMOS, CQFP256, CAVITY-UP, CERAMIC, QFP-256 | 时钟 栅 可编程逻辑 | |||
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71T75902S85BG
中文翻译 品牌: IDT |
2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71T75902S85BG8
中文翻译 品牌: IDT |
2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71T75902S85BGG
中文翻译 品牌: IDT |
2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71T75902S85BGG8
中文翻译 品牌: IDT |
2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71T75902S85BGGI8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, GREEN, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3557S85BQGI
中文翻译 品牌: IDT |
Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3557S85BQGI8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | |||
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71V3557SA85BQ
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3557SA85BQGI
中文翻译 品牌: IDT |
Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3557SA85BQI
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3559S85BGGI
中文翻译 品牌: IDT |
Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3559S85BGGI8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | |||
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71V3559S85BQI8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | |||
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71V3559S85PF8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | |||
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71V3559S85PFGI
中文翻译 品牌: IDT |
Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3559S85PFGI8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | |||
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71V3559SA85BG
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | ||
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71V3559SA85BGGI8
中文翻译 品牌: IDT |
ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119 | 时钟 静态存储器 内存集成电路 | |||
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71V3577S85BG
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):4.5Mb(128K x 36);内存数据长度(bit):128K ;字编码数(k):128K ;最大时钟频率(MHz):87 MHz;元器件封装:119-PBGA(14x22); | 时钟 存储 | |||
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71V3577S85BG8
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):4.5Mb(128K x 36);内存数据长度(bit):128K ;字编码数(k):128K ;最大时钟频率(MHz):87 MHz;元器件封装:119-PBGA(14x22); | 时钟 存储 | |||
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71V3577S85BGG8
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):4.5Mb(128K x 36);内存数据长度(bit):128K ;字编码数(k):128K ;最大时钟频率(MHz):87 MHz;元器件封装:119-PBGA(14x22); | 时钟 存储 | |||
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71V3577S85BGI
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):4.5Mb(128K x 36);内存数据长度(bit):128K ;字编码数(k):128K ;最大时钟频率(MHz):87 MHz;元器件封装:119-PBGA(14x22); | 时钟 存储 | |||
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71V3577S85BGI8
中文翻译 品牌: RENESAS |
存储容量(Mb):4.5Mb(128K x 36);内存数据长度(bit):128K ;字编码数(k):128K ;最大时钟频率(MHz):87 MHz;元器件封装:119-PBGA(14x22); | 时钟 存储 |