92 - 型号起始 - 动态存储器; 总记录数：64

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AC82GS45SLB92 中文翻译品牌: INTEL	DRAM Controller, CMOS, PBGA1363, UFCBGA-1363	PC 动态存储器外围集成电路
		HY5R256HC653 中文翻译品牌: HYNIX	Rambus DRAM, 16MX16, 53ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		HY5R256HC845 中文翻译品牌: HYNIX	Rambus DRAM, 16MX16, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		HY5R288HC653 中文翻译品牌: HYNIX	Rambus DRAM, 16MX18, 53ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		HY5R288HC745 中文翻译品牌: HYNIX	Rambus DRAM, 16MX18, 45ns, CMOS, PBGA92, MICRO, BGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		HYB18T1G160AC-3.7 中文翻译品牌: INFINEON	DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92	动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		HYB18T1G160AF-3.7 中文翻译品牌: INFINEON	DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-92	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		HYB18T1G160AF-3.7 中文翻译品牌: QIMONDA	DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-92	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		HYB18T1G160AF-5 中文翻译品牌: QIMONDA	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-92	时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
		HYB18TC1G160AF-5 中文翻译品牌: INFINEON	DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-92	动态存储器双倍数据速率
		IPUG92 中文翻译品牌: LATTICE	LPDDR SDRAM Controller IP Core User's Guide	动态存储器双倍数据速率光电二极管
		K4R521669A-FCK8 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R521669A-FCM8 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R521669A-FCM9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R521669A-FCN9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R521669A-FCS9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX16, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R521669A-FCT9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R571669A-FCK8 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, 45ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCK80 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCM8 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, 40ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCM80 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCM9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, 35ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器
		K4R571669D-FCN10 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCN9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92	时钟动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCN90 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCS90 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R571669D-FCT9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, 32ns, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器
		K4R571669D-FCT90 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 16MX16, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R761869A-FCM80 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, WBGA-92	动态存储器内存集成电路
		K4R761869A-FCM9 中文翻译品牌: SAMSUNG	Rambus DRAM, 32MX18, CMOS, PBGA92, CENTER-BONDED, WBGA-92	动态存储器内存集成电路

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