AC serie - 型号起始 - 双极性晶体管; 总记录数：173

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SC1213AC-E 中文翻译品牌: RENESAS	500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN	放大器晶体管
		AIGB15N65F5 中文翻译品牌: INFINEON	Energy efficiency is the most important aspect for electric vehicles and hybrid vehicles. Therefore, Infineon has developed the 650 V TRENCHSTOP? 5 AU	双极性晶体管功率因数校正
		BP87422 中文翻译品牌: BPS	BP87422 是一款应用于 AC/DC 反激变换器的原边驱动开关，内置 650V 具有 IGBT 结构的复合功率管，集成高压自供电，集成VCC 电容，适用于全电压输入 20W 输出双绕组变压器的	变压器开关驱动双极性晶体管高压
		BP87422B 中文翻译品牌: BPS	BP87422 是一款应用于 AC/DC 反激变换器的原边驱动开关，内置 650V 具有 IGBT 结构的复合功率管，集成高压自供电，集成VCC 电容，适用于全电压输入 20W 输出双绕组变压器的	变压器开关驱动双极性晶体管高压
		BP87425 中文翻译品牌: BPS	BP87425 是一款应用于 AC/DC 反激变换器的原边驱动开关，内置 650V 具有 IGBT 结构的复合功率管，集成高压自供电，集成 VCC 电容，适用于全电压输入 33W 输出双绕组变压器	变压器开关驱动双极性晶体管高压
		DMA12 中文翻译品牌: MICROSEMI	IGBTVSTM AC LINE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR IGBTVSTM交流线路瞬态电压抑制器	电视双极性晶体管
		DMA24 中文翻译品牌: MICROSEMI	IGBTVSTM AC LINE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR IGBTVSTM交流线路瞬态电压抑制器	电视双极性晶体管
		DMA44 中文翻译品牌: MICROSEMI	IGBTVSTM AC LINE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR IGBTVSTM交流线路瞬态电压抑制器	电视双极性晶体管
		EPA4493G-LF 中文翻译品牌: PCA	High Speed Switching Transformer for AC Coupled MOSFET and IGBT Gate Drive Circuits ? Low Leakage Inductance ? Switching Frequency: 100 kHz to 2 MHz ?	栅双极性晶体管
		FL5150 中文翻译品牌: ONSEMI	IGBT and MOSFET AC Phase Cut Dimmer Controller	双极性晶体管
		FL5150MX EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	IGBT and MOSFET AC Phase Cut Dimmer Controller	双极性晶体管
		HFA3096BZ EDA模型中文翻译品牌: RENESAS	5 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN AND PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-16	放大器 PC 光电二极管晶体管
		HGTH12N40C1D 中文翻译品牌: RENESAS	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,400V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC	双极性晶体管
		HGTH12N40E1D 中文翻译品牌: RENESAS	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,400V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC	栅双极性晶体管
		HGTH12N50E1D 中文翻译品牌: RENESAS	TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,500V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC	双极性晶体管
		IGC05R60DE 中文翻译品牌: INFINEON	第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENCHSTOP? 和场中止技术用于硬开关应用。	开关双极性晶体管
		IGC06R60DE 中文翻译品牌: INFINEON	第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENCHSTOP? 和场中止技术用于硬开关应用。	开关双极性晶体管
		IHW25N120R2XK 中文翻译品牌: INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN	二极管双极性晶体管
		IMW120R007M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R014M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R020M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R030M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R040M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R045M1 中文翻译品牌: INFINEON	1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装，基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R060M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R090M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R140M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R220M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R350M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSiC???SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。?与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZ120R030M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体

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