品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1214-110V
中文翻译 品牌: ADPOW |
110 Watts - 50 Volts, 330μs, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 110瓦 - 50伏特, 330μs , 10 %雷达1200年至1400年兆赫 |
雷达 局域网 | |||
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1214-220M
中文翻译 品牌: ADPOW |
220 Watts - 40 Volts, 150ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 220瓦 - 40伏, 150毫秒, 10%的雷达一二零零年至1400年兆赫 |
晶体 射频双极晶体管 开关 雷达 局域网 | |||
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1214-300
中文翻译 品牌: ADPOW |
300 Watts - 50 Volts, 100us, 10% Radar 1200 1400 MHz 300瓦 - 50伏特, 100us的, 10%的雷达1200 1400兆赫 |
雷达 | |||
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1214-300M
中文翻译 品牌: ADPOW |
300 Watts - 40 Volts, 150ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 300瓦 - 40伏, 150毫秒, 10%的雷达一二零零年至1400年兆赫 |
雷达 | |||
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1214-370M
中文翻译 品牌: ADPOW |
370 Watts - 50 Volts, 330 ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz 370瓦 - 50伏, 330毫秒, 10 %雷达1200年至1400年兆赫 |
雷达 | |||
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1517-110M
中文翻译 品牌: ADPOW |
110 Watts, 40 Volts, 200us, 10% Radar 1480 to 1650 MHz 110瓦, 40伏特,为200us , 10 %雷达一四八零年至1650年兆赫 |
雷达 | |||
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1517-20M
中文翻译 品牌: ADPOW |
20 Watts, 36 Volts, 200us, 10% Radar 1480 to 1650 MHz 20瓦, 36伏特,为200us , 10 %雷达1480年至1650年兆赫 |
晶体 晶体管 雷达 | |||
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1517-250M
中文翻译 品牌: ADPOW |
250 Watts, 40 Volts, 200us, 10% Radar 1480 to 1650 MHz 250瓦, 40伏特,为200us , 10 %雷达一四八零年至1650年兆赫 |
晶体 晶体管 雷达 | |||
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2729-125
中文翻译 品牌: ADPOW |
125 Watts, 36 Volts, 100us, 10% Radar 2700-2900 MHz 125瓦, 36伏特, 100us的, 10%的雷达2900至00年兆赫 |
雷达 | |||
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APT100GF60B2R
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. 快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。 |
双极性晶体管 高压 栅 | |||
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APT100GF60JR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. 快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
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APT100GF60JRD
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. 快速IGBT⑩是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 开关 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
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APT100GF60JU3
中文翻译 品牌: ADPOW |
ISOTOP Buck chopper NPT IGBT ISOTOP降压斩波NPT IGBT |
双极性晶体管 | |||
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APT100GF60LR
中文翻译 品牌: ADPOW |
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. 快速IGBT是新一代高压功率IGBT的。 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 高压 栅 局域网 | |||
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APT100GN120J
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT100GN60B2
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | |||
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APT100GN60B2G
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT100GN60LDQ4
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT100GN60LDQ4G
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT100GT120JU3
中文翻译 品牌: ADPOW |
ISOTOP Buck chopper Trench IGBT ISOTOP降压斩波沟道IGBT |
双极性晶体管 | |||
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APT100GT60JR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Thunderbolt IGBT 迅雷IGBT |
双极性晶体管 | |||
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APT100S20B
中文翻译 品牌: ADPOW |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE 高压肖特基二极管 |
整流二极管 肖特基二极管 高压 局域网 超快软恢复二极管 高压超快速软恢复二极管 | |||
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APT100S20LCT
中文翻译 品牌: ADPOW |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODES 高压肖特基二极管 |
肖特基二极管 高压 | |||
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APT10M07
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
高压 | |||
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APT10M07JVFR
中文翻译 品牌: ADPOW |
High Voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET 高电压N沟道增强型功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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APT10M07JVR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
高压 | |||
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APT10M09B2VFR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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APT10M09B2VFR_04
中文翻译 品牌: ADPOW |
POWER MOS V FREDFET 功率MOS V FREDFET |
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APT10M09B2VR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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APT10M09LVFR
中文翻译 品牌: ADPOW |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 |
ADPOW是什么品牌:自 1999 年以来,Advanced Power Technologies (APT) 一直致力于为变压器监控市场开发独特的产品解决方案。我们的重点始终是以实惠的价格开发最好、可靠的技术。我们的第一款产品 TTC-1000 已在美国、加拿大、墨西哥、南美和加勒比海地区发货超过 11,000 件,它就是这一理念的体现。
随着 APT 进入第二个十年,我们通过设计简单易用且无需校准的免维护产品,继续巩固我们的成功。我们很自豪成为唯一一家享受终身保修并声称无需校准的变压器监控产品制造商。APT 成为电力变压器状态评估仪器领域的技术领导者绝非偶然。
2011年,Advanced Power Technologies发布了“下一代”变压器监控平台ECLIPSE。ECLIPSE旨在成为变压器监控系统的中心,集成变压器周围各处的数据,并以 TTC -1000的设计原理为基础,推动变压器监控的发展。