所属品牌:不限 WALSIN(315099) VISHAY(228257) KYOCERA AVX(106036) KEMET(96641) ETC(86489) GLENAIR(86126) ITT(84380) AMPHENOL(79853) MICROSEMI(78744) MSYSTEM(66412) KOA(51738) YAGEO(49698) RICOH(41350) ECLIPTEK(39649) ABRACON(35267) CTS(30716) MTRONPTI(30213) SAMTEC(27660) VICOR(27129) RCD(26775) HONEYWELL(26133) EUROQUARTZ(26051) BOURNS(26003) MURATA(23761) SOURCE(22784) MAXIM(22523) QT(19586) PANASONIC(19281) GOLLEDGE(19028) ADI(18956) MOLEX(17759)
功能分类:不限 电阻器(98111) 连接器(113711) 电容器(95858) 光电二极管(201238) 测试(81066) 二极管(89310) 驱动(40629) 晶体(47430) 谐振器(38327) 开关(78194) 翘板开关(31293) 光电(33946) 传感器(23878) 压力传感器(17916) 稳压器(19853) 机械(25670) 振荡器(40381) 局域网(35384) 射频感应器(15241) 电感器(27391) PC(39092) 输出元件(52346) 调节器(24575) 陶瓷电容器(11307) 信息通信管理(12327) 电视(14685) 转换器(19859) 军事(13142) LTE(8611) 医疗(7568) 医疗器械(6908) 石英晶振(29122) 压控振荡器(17034) 温度补偿晶振(12691) 有源晶体振荡电路(7776) 时钟(17945) 齐纳二极管(13520) 编码器(13405) 动态存储器(16394) 双倍数据速率(8515) 高压(7932) 连接器支架(5236) 继电器(12716) 铝电解电容器(4801) 静态存储器(14612) 端子和端子排(6971) D 型连接器(4306) 集管和边缘连接器(5119) 电池(4930) 电子(4924) 便携式(4174)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
100B1R5JP500X
中文翻译 品牌: FREESCALE
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
N沟道增强模式横向的MOSFET
100B5R6JP500X
中文翻译 品牌: FREESCALE
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
N沟道增强模式横向的MOSFET
10N60C5M
中文翻译 品牌: IXYS
CoolMOS Power MOSFET
的CoolMOS功率MOSFET
145N65M5
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS
N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh™ V Power MOSFET in Max247 package
N沟道650 V, 0.012 I©典型值, 138 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET在MAX247包
1SD418F2-5SNA1200E250100
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-5SNA1200E330100
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
1SD418F2-5SNA1500E330300
中文翻译 品牌: POWERINT
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极
21N65M5
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS
N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET
N沟道650 V, 0.175 Ω , 17的PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV超低栅极电荷
栅极
2EDB8259F
中文翻译 品牌: INFINEON
EiceDRIVER? 2EDB8259F是一款具有浮动输出的双通道隔离栅极驱动器IC。这款强大的5 A/9 A源/汇双通道栅极驱动器具有非常高的150 V/ns CMTI(共模瞬态抗扰度),可在高功率开关噪声环境中与CoolMOS?、CoolGaN? GIT HEMT一起稳健运行。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7434F
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7434R
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7523F
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7523FXTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-DSO-8; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7523G
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7523GXTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-WSON-8-1; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7523R
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7523RXUMA1 EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-TSSOP-8; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7524F
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524FXTMA1 EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-DSO-8-60; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7524F_16
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524G
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524GXTMA1 EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-WSON-8-1; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7524R
中文翻译 品牌: INFINEON
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching
2EDN7524RXUMA1
中文翻译 品牌: INFINEON
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-TSSOP-8; 驱动 驱动器 栅极
2EDN7533B
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7533F
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7533R
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7534B
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7534F
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
2EDN7534G
中文翻译 品牌: INFINEON
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 开关 栅极驱动 驱动器
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