品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
100B1R5JP500X
中文翻译 品牌: FREESCALE |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs N沟道增强模式横向的MOSFET |
||||
![]() |
100B5R6JP500X
中文翻译 品牌: FREESCALE |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs N沟道增强模式横向的MOSFET |
||||
![]() |
10N60C5M
中文翻译 品牌: IXYS |
CoolMOS Power MOSFET 的CoolMOS功率MOSFET |
||||
![]() |
145N65M5
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N-channel 650 V, 0.012 Ω typ., 138 A, MDmesh⢠V Power MOSFET in Max247 package N沟道650 V, 0.012 I©典型值, 138 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET在MAX247包 |
||||
![]() |
1SD418F2-5SNA1200E250100
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
![]() |
1SD418F2-5SNA1200E330100
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
![]() |
1SD418F2-5SNA1500E330300
中文翻译 品牌: POWERINT |
最小供电电压(V):14.5V;最大供电电压(V):15.5V;驱动配置:半桥;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):100ns;下降时间(ns):100ns;元器件封装:模块; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
![]() |
21N65M5
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET N沟道650 V, 0.175 Ω , 17的PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV超低栅极电荷 |
栅极 | |||
![]() |
2EDB8259F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? 2EDB8259F是一款具有浮动输出的双通道隔离栅极驱动器IC。这款强大的5 A/9 A源/汇双通道栅极驱动器具有非常高的150 V/ns CMTI(共模瞬态抗扰度),可在高功率开关噪声环境中与CoolMOS?、CoolGaN? GIT HEMT一起稳健运行。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7434F
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7434R
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
![]() |
2EDN7523F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | |||
![]() |
![]() |
2EDN7523FXTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-DSO-8; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
![]() |
![]() |
2EDN7523G
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | |||
![]() |
![]() |
2EDN7523GXTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-WSON-8-1; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
![]() |
2EDN7523R
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | ||||
![]() |
![]() |
2EDN7523RXUMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-TSSOP-8; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
![]() |
![]() |
2EDN7524F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | |||
![]() |
![]() |
2EDN7524FXTMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-DSO-8-60; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
![]() |
2EDN7524F_16
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | ||||
![]() |
![]() |
2EDN7524G
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | |||
![]() |
![]() |
2EDN7524GXTMA1
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-WSON-8-1; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
![]() |
![]() |
2EDN7524R
中文翻译 品牌: INFINEON |
Highly efficient SMPS enabled by 5 ns fast slew rates and 17 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching | |||
![]() |
![]() |
2EDN7524RXUMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):20V;峰值输出灌电流(A):5A;峰值输出拉电流(A):5A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):5.3ns;下降时间(ns):4.5ns;元器件封装:PG-TSSOP-8; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
![]() |
2EDN7533B
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7533F
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7533R
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7534B
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7534F
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 | |||
![]() |
2EDN7534G
中文翻译 品牌: INFINEON |
快速双通道 5 A 栅极驱动器,专为驱动标准和超结 MOSFET 以及宽禁带功率开关器件而优化。 | 开关 栅极驱动 驱动器 |