| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AM40N04-20D
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):40V;额定电流Id(A):15.8A;最大导通阻抗Ron(mΩ):12mΩ 10V,38.8A;类型:N沟道;最大耗散功率Pd(W):3.75W;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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AM40P06-135P
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):20A;最大导通阻抗Ron(mΩ):100mΩ 10V,5A;类型:P沟道;最大耗散功率Pd(W):2W;栅源耐压Vgs(V):3V 250μA; | 栅 |
Total:21
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