品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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AO4800
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):6.2A;最大导通阻抗Ron(mΩ):22mΩ 10V,5A;类型:2个N沟道;最大耗散功率Pd(W):1.78W;栅源耐压Vgs(V):2.5V 250μA; | 栅 | |||
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AO4801
中文翻译 品牌: VBSEMI |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7.3A;最大导通阻抗Ron(mΩ):35mΩ 10V,6.3A;类型:2个P沟道;最大耗散功率Pd(W):2.5W;栅源耐压Vgs(V):3V 250μA; | 栅 | |||
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AO4807
中文翻译 品牌: KEXIN |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):6A;最大导通阻抗Ron(mΩ):35 mOhm @ 6A, 10V;类型:Dual P Channel;栅极电荷Qg(nC):16nC @ 10V;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:8-SOIC; | 栅 栅极 |
Total:31
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