| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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04023J8R2BBS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 异质结双极晶体管技术（的InGaP HBT ） |
晶体 晶体管 | |||
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08051J1R2BBT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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0906-2KLC
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管 |
晶体 晶体管 电感器 测试 射频感应器 | |||
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0910-300
中文翻译 品牌: ADPOW |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, 55KT, 2 PIN | 晶体 射频双极晶体管 雷达 局域网 | |||
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1002MP
中文翻译 品牌: ADPOW |
2 Watts, 35 Volts Pulsed Avionics at 960-1215 MHz 2瓦， 35伏特，脉冲航空电子设备在960-1215兆赫 |
晶体 晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 | |||
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1002MP
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
2 Watts, 35 Volts Pulsed Avionics at 960-1215 MHz 2瓦， 35伏特，脉冲航空电子设备在960-1215兆赫 |
晶体 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 脉冲 电子 放大器 航空 | |||
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100GAL12DN2
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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100GB120DN2
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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100GB170DN2
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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100GT120DN2
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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10GD120DN2
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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10GD120DN2E
中文翻译 品牌: ETC |
IGBT Module
IGBT模块\n |
双极性晶体管 | |||
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10N50KG-MT-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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10N50KG-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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10N50KL-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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10N60L-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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10N60L-TQ2-T
中文翻译 品牌: UTC |
10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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11C-1
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-2 | 开关 晶体管 | ||
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11C-2
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-2 | 开关 晶体管 | ||
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12N60L-T2Q-T
中文翻译 品牌: UTC |
12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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12N60L-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
N-CHANNEL JUNCTION FET | ||||
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12N65G-T2Q-T
中文翻译 品牌: UTC |
12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A ， 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65G-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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12N65G-TQ2-R
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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12N70G-TC-T2Q-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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12N70G-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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12N70L-TC-T2Q-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, | ||||
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12N70L-TF2-T
中文翻译 品牌: UTC |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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12P10G-TQ2-R
中文翻译 品牌: UTC |
9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A ， 100V P沟道功率MOSFET |
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12P10G-TQ2-T
中文翻译 品牌: UTC |
9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A ， 100V P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 |