| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SB1282
中文翻译 品牌: SHINDENGEN |
Darlington Transistor(【 4A PNP) 达林顿晶体管（ 【 4A PNP ） |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 斩波器 局域网 | ||
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2SD1788
中文翻译 品牌: SHINDENGEN |
Darlington Transistor(【 4A NPN) 达林顿晶体管（ 【 4A NPN ） |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 | ||
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2SD1789
中文翻译 品牌: SHINDENGEN |
Darlington Transistor(【 4A NPN) 达林顿晶体管（ 【 4A NPN ） |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 | ||
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2SD1790
中文翻译 品牌: SHINDENGEN |
Darlington Transistor(【 4A NPN) 达林顿晶体管（ 【 4A NPN ） |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 斩波器 局域网 | ||
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2STBN15D100T4
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
Low voltage NPN power Darlington transistor 低电压NPN功率达林顿晶体管 |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 | ||
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4N29300
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N29300W
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N293S
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N293SD
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N29M
中文翻译 品牌: EVERLIGHT |
隔离电压(Vrms):5000Vrms;最小电流传输比CTR(%):100% @ 10mA;输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;电压-输出最大值(V):55V;正向输入电压Vf(典型值 | 晶体管 达林顿晶体管 | ||
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4N29W
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N30300
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N30300W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N303S
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N303SD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N30S
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N30SD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N30W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N31300
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N31300W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N313S
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N313SD
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N31S
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N31SD
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N31W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N32
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N32300
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N32300W
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-DIP; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N323S
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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4N323SD
中文翻译 品牌: ONSEMI |
输入类型:DC;输出类型:有基极的达林顿晶体管;通道数:1;最小工作温度(℃）:-55°C;最大工作温度(℃）:100°C;元器件封装:6-SMD; | 晶体管 达林顿晶体管 |