型号起始：	APT20M4* (28) APT20M40* (6) APT20M42* (1) APT20M45* (21)
所属品牌：	不限 ADPOW(10) MICROSEMI(10) ETC(7) MICROCHIP(1)
功能分类：	不限晶体(23) 晶体管(27) 功率场效应晶体管(16) 开关(20) 脉冲(23) 高压(10) 局域网(20)

APT20M4 - 型号起始 - 局域网; 总记录数：20

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		APT20M40BFN 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 83A I(D) 晶体管\| MOSFET功率模块\|独立\| 200V V（ BR ） DSS \| 83A I（ D）\n	晶体晶体管局域网
		APT20M40BVR 中文翻译品牌: ADPOW	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M40BVRG 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	局域网开关脉冲晶体管
		APT20M40HVR 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-258 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 200V V（ BR ） DSS \| 45A I（ D） \| TO- 258\n	晶体晶体管开关脉冲局域网
		APT20M42HVR 中文翻译品牌: ADPOW	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BNFR 中文翻译品牌: MICROSEMI	58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD	局域网脉冲晶体管
		APT20M45BNFR-BUTT 中文翻译品牌: ADPOW	暂无描述	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BNFR-GULLWING 中文翻译品牌: ADPOW	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BNFR-GULLWING 中文翻译品牌: MICROSEMI	暂无描述	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		APT20M45BNR 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 58A I(D) \| TO-247AD 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 200V V（ BR ） DSS \| 58A I（ D） \| TO- 247AD\n	晶体晶体管脉冲局域网
		APT20M45BNR-BUTT 中文翻译品牌: ADPOW	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BNR-BUTT 中文翻译品牌: MICROSEMI	58A, 200V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		APT20M45BNR-GULLWING 中文翻译品牌: ADPOW	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BNR-GULLWING 中文翻译品牌: MICROSEMI	暂无描述	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		APT20M45BVFR 中文翻译品牌: ADPOW	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement 功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BVFRG 中文翻译品牌: MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-24	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		APT20M45BVR 中文翻译品牌: ADPOW	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
		APT20M45BVR 中文翻译品牌: MICROSEMI	POWER MOS V® 功率MOS V®	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		APT20M45BVRG 中文翻译品牌: MICROSEMI	POWER MOS V® 功率MOS V®	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		APT20M45SNR 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 58A I(D) \| TO-263AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 200V V（ BR ） DSS \| 58A I（ D） \| TO- 263AB\n	晶体晶体管脉冲局域网

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