| 型号起始： | APT25GN* (13) APT25GN1* (13) |
| 所属品牌： | 不限 MICROSEMI(7) ADPOW(6) |
| 功能分类： | 不限 晶体(11) 晶体管(12) 功率控制(12) 双极性晶体管(11) 局域网(5) 栅(6) 半导体(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120B
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GN120B2DQ2
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120B2DQ2G
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Semiconductors Power Modules 功率半导体功率模块 |
晶体 半导体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | ||
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APT25GN120BE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | |||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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APT25GN120BG
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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APT25GN120S
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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APT25GN120S
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 | |||
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APT25GN120SE3
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK, 3 PIN | 栅 | |||
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APT25GN120SG
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies 利用最新的场站和沟槽栅技术 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 | ||
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APT25GN120SG
中文翻译 品牌: ADPOW |
IGBT IGBT |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 |
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