AS4C1查询 - Datasheet ICPDF资料库

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS4C16M16SA-CI 中文翻译品牌: ALSC	Operating temperature range
		AS4C16M32MD1 中文翻译品牌: ALSC	Four internal banks for concurrent operation
		AS4C16M32MD1-5BCN EDA模型中文翻译品牌: ALSC	Four internal banks for concurrent operation	动态存储器内存集成电路
		AS4C16M32MD1-5BIN 中文翻译品牌: ALSC	Four internal banks for concurrent operation
		AS4C16M32MS-6BIN 中文翻译品牌: ALSC	Multiple Burst Read with Single Write Operation
		AS4C16M32MS-7BCN 中文翻译品牌: ALSC	Multiple Burst Read with Single Write Operation
		AS4C1M16E0-50JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E0-60JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-45TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-50JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-50JI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-50TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-50TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-60JC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16E5-60JI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-60TC 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16E5-60TI 中文翻译品牌: ALSC	5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) 5V 1M × 16的CMOS DRAM（ EDO ）	动态存储器
		AS4C1M16F5 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	动态存储器
		AS4C1M16F5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C1M16F5-45TC 中文翻译品牌: ALSC	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4C1M16F5-50JC 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	动态存储器
		AS4C1M16F5-50JI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-50TC 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-50TI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-60JC 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	动态存储器
		AS4C1M16F5-60JI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4C1M16F5-60TC 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	动态存储器
		AS4C1M16F5-60TI 中文翻译品牌: ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM 5V 1M ×16的CMOS DRAM	内存集成电路光电二极管动态存储器

型号起始：	AS4C1* (123) AS4C10* (7) AS4C12* (38) AS4C14* (18) AS4C16* (33) AS4C1M* (27)
所属品牌：	不限 ALSC(93) MICROSS(16) ETC(11) ALLIED(2) AUSTIN(1)
功能分类：	不限动态存储器(85) 双倍数据速率(16) 内存集成电路(54) 存储(8) 光电二极管(27) CD(12) 时钟(8) ISM频段(2)

AS4C1 - 型号起始; 总记录数：123