| 型号起始： | AS4C16* (33) AS4C16M* (33) |
| 所属品牌： | 不限 ALSC(31) ALLIED(2) |
| 功能分类： | 不限 动态存储器(15) 光电二极管(8) 内存集成电路(14) 双倍数据速率(5) 时钟(5) ISM频段(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
AS4C16M16D1-5BCN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
Fully synchronous operation | 时钟 动态存储器 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16D1A-5TCN
中文翻译 品牌: ALSC |
Auto Refresh and Self Refresh | 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16D1A-5TIN
中文翻译 品牌: ALSC |
Auto Refresh and Self Refresh | 动态存储器 双倍数据速率 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16D2-25BCN
中文翻译 品牌: ALSC |
fully sunchronous operation | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16D2-25BIN
中文翻译 品牌: ALSC |
fully sunchronous operation | 时钟 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16MD1-6BCN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
Programmable output buffer driver strength | 动态存储器 双倍数据速率 内存集成电路 | ||
 |
 |
AS4C16M16S-7TCN
中文翻译 品牌: ALLIED |
16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4ns, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOPII-54 | 时钟 动态存储器 ISM频段 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16S-7TCN
中文翻译 品牌: ALSC |
Programmable Mode registers | 时钟 动态存储器 ISM频段 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16SA-6BIN
中文翻译 品牌: ALSC |
256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16SA-6TCN
中文翻译 品牌: ALSC |
256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16SA-6TIN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16SA-7BCN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M16SA-7TCN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
256M â (16Mx16bit) Synchronous DRAM (SDRAM) | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | ||
|
 |
AS4C16M32MD1-5BCN
EDA模型
中文翻译 品牌: ALSC |
Four internal banks for concurrent operation | 动态存储器 内存集成电路 |
Total:141
总14条记录，每页显示30条记录分1页显示。