型号起始：	AS4LC1M* (58) AS4LC1M1* (58)
所属品牌：	不限 MICROSS(25) ALSC(17) ETC(14) AUSTIN(2)
功能分类：	不限动态存储器(57) CD(15) 内存集成电路(27) 光电二极管(13) 存储(4) 时钟(2)

AS4LC1M - 型号起始 - 光电二极管; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS4LC1M16E0-60JC 中文翻译品牌: ETC	x16 EDO Page Mode DRAM X16 EDO页模式DRAM\n	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC1M16E5-45TC 中文翻译品牌: ALSC	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC1M16E5-50JC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-50JI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-50TI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60JC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60JI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60TC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16S0-10TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
		AS4LC1M16S0-7TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16S1-12TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M x 8/1M x 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M ×8 / 1M ×16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16S1-7TC 中文翻译品牌: ALSC	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM 3.3V 2M × 8 / 1M × 16的CMOS同步DRAM	存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟

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