AS4LC1M16E5- - 型号起始 - 动态存储器; 总记录数：10

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		AS4LC1M16E5-45JC 中文翻译品牌: ALSC	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC1M16E5-45TC 中文翻译品牌: ALSC	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44	动态存储器光电二极管内存集成电路
		AS4LC1M16E5-50JC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-50JI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-50TC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	动态存储器
		AS4LC1M16E5-50TI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60JC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60JI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60TC 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	内存集成电路光电二极管动态存储器
		AS4LC1M16E5-60TI 中文翻译品牌: ETC	3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) 3V 1M X 6 CMOS DRAM （ EDO ）	动态存储器

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