| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
5962-8956810QTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO 弧度。宽容高速4 KB ×9并行FIFO |
存储 内存集成电路 先进先出芯片 异步传输模式 ATM 时钟 | ||
|
5962-8956810VNC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO 弧度。宽容高速4 KB ×9并行FIFO |
先进先出芯片 | |||
|
|
5962-8956810VTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO 弧度。宽容高速4 KB ×9并行FIFO |
存储 内存集成电路 先进先出芯片 异步传输模式 ATM 时钟 | ||
|
 |
5962-8959818MZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-32 | 内存集成电路 静态存储器 | ||
|
 |
5962-8959818QTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | ||
|
|
5962-8959818QZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
|
|
5962-8959818QZX
中文翻译 品牌: ATMEL |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 | 存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
|
5962-8959818VTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | |||
|
|
5962-8959818VZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 | ||
|
 |
5962-8959847Q6A
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | ||
|
 |
5962-8959847QTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
|
5962-8959847QZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
内存集成电路 静态存储器 | |||
|
|
5962-8959847V6A
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 异步传输模式 ATM | ||
|
|
5962-8959847VTC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管 | ||
|
5962-8959847VZC
中文翻译 品牌: ATMEL |
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM 弧度。宽容128K ×8的超低功耗5V CMOS SRAM |
静态存储器 | |||
|
 |
5962-8961405MYA
中文翻译 品牌: ATMEL |
UVPROM, 128KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 | 可编程只读存储器 ATM 异步传输模式 内存集成电路 | ||
|
|
5962-8961412MXA
中文翻译 品牌: ATMEL |
UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32 | 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 内存集成电路 | ||
|
5962-89755
中文翻译 品牌: ATMEL |
High Speed UV Erasable Programmable Logic Device 高速UV可擦除可编程逻辑器件 |
可编程逻辑器件 | |||
|
 |
5962-89755013A
中文翻译 品牌: ATMEL |
OT PLD, 25ns, CMOS, CQCC28 | 时钟 输入元件 可编程逻辑 | ||
|
|
5962-89755013X
中文翻译 品牌: ATMEL |
OT PLD, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | 时钟 输入元件 可编程逻辑 | ||
|
 |
5962-8975501LA
中文翻译 品牌: ATMEL |
OT PLD, 25ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | 时钟 输入元件 可编程逻辑 | ||
|
|
5962-8975504LA
中文翻译 品牌: ATMEL |
OT PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | 时钟 ATM 异步传输模式 输入元件 可编程逻辑 | ||
|
|
5962-89841033X
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
可编程逻辑器件 | ||
|
 |
5962-8984103LA
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
可编程逻辑 输入元件 时钟 | ||
|
|
5962-89841063X
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
可编程逻辑 输入元件 时钟 | ||
|
 |
5962-8984106LA
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
可编程逻辑器件 输入元件 时钟 | ||
|
|
5962-89841133X
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
可编程逻辑器件 输入元件 异步传输模式 ATM 时钟 | ||
|
5962-8984113LA
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
||||
|
|
5962-89841143X
中文翻译 品牌: ATMEL |
High-performance Electrically Erasable Programmable Logic Device 高性能的电可擦除可编程逻辑器件 |
可编程逻辑器件 输入元件 异步传输模式 ATM 时钟 | ||
|
|
5962-8984114LA
中文翻译 品牌: ATMEL |
Highperformance EE PLD 高性能EE PLD |
可编程逻辑器件 输入元件 时钟 |
ATMEL是什么品牌：爱特美尔公司1984年成立，专业设计、生产、销售一系列高性能半导体器件，包括逻辑器件、非易失存储器、混合信号IC和射频IC。也是为数不多的能够在一个芯片上集成高密度存储、逻辑和模拟功能的厂家之一。公司采用最先进的晶片工艺制造芯片，包括BiCMOS、CMOS和新兴的SiGe技术。爱特美尔公司总部设在美国加州圣约瑟市，在美国、欧洲有多家制造工厂，其中包括设在法国的世界一流的8英寸、0.25微米晶片制造厂。公司在全球设立了多个办事处。此外，公司的产品还通过遍布全球的授权销售代表和分销商销往世界各地。
2016年被美国芯片制造商微芯科技（Microchip Technology）宣布以36亿美元收购。