BD61 - 型号起始; 总记录数：80

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		BD6150CT 中文翻译品牌: PANJIT	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 表面贴装肖特基二极管	肖特基二极管瞄准线功效
		BD6150MUV 中文翻译品牌: ROHM	Silicon Monolithic Integrated Circuit 硅单片集成电路	稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器
		BD6150MUV-E2 中文翻译品牌: ROHM	LED Driver, PQCC24	驱动接口集成电路
		BD6150MUV_11 中文翻译品牌: ROHM	White Backlight LED Driver for Medium to Large LCD Panels (Switching Regulator Type) 白色背光LED驱动器，用于中到大型液晶面板（开关稳压器型）	驱动器稳压器开关
		BD6155FVM 中文翻译品牌: ROHM	DC/DC converter for LCD back light 直流/直流转换器，用于LCD背光	转换器
		BD6155FVM-TR 中文翻译品牌: ROHM	Display Driver, PDSO8,	转换器
		BD6157GLS 中文翻译品牌: ROHM	LED Driver, 1-Segment, FLGA-12	驱动接口集成电路
		BD616 中文翻译品牌: INFINEON	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS PNP硅晶体管EPIBASE	晶体晶体管
		BD6164GUT-E2 EDA模型中文翻译品牌: ROHM	LED Driver, 1-Segment, PBGA6, 1.10 X 1.50 MM, 0.675 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, VCSP-60	驱动接口集成电路
		BD616LV4017AC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017ACG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017ACG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017ACP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017ACP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AIG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AIP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017AIP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DC-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DC-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DCG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DCG70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DCP55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DCP70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DI-55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DI-70 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器
		BD616LV4017DIG55 中文翻译品牌: BSI	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位	静态存储器

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型号等于：	BD611 (1) BD612 (1) BD613 (1) BD614 (1) BD615 (1) BD616 (1) BD617 (1) BD618 (1) BD619 (1)
型号起始：	BD61* (78) BD610* (2) BD611* (3) BD612* (16) BD613* (1) BD614* (4) BD615* (9) BD616* (38) BD617* (1) BD618* (3) BD619* (1)
所属品牌：	不限 BSI(36) ROHM(29) INFINEON(9) PANJIT(4)
功能分类：	不限静态存储器(36) 晶体(9) 晶体管(9) 肖特基二极管(4) 瞄准线(4) 功效(4) 开关(5) 电机(5) 驱动(8) 驱动器(8) 接口集成电路(4) 转换器(2) CD(4) 显示驱动器(1) 驱动程序和接口(1) 手机(2) 电动机控制(2) 光电二极管(1) 脉冲(1) 稳压器(3) 开关式稳压器或控制器(2) 电源电路(2) 开关式控制器(2)